‘FeTRAM’ nueva memoria que usa 99% menos energía que la memoria flash

FeTRAM (ferroelectric transistor random access memory), es el nombre de un nuevo tipo de memoria de ordenador no volátil, que puede ser más rápida que las memorias comerciales existentes y utilizar mucho menos energía que los dispositivos de memoria flash, la cual está siendo desarrollada por el centro de Nanotecnología Birck, de la Universidad de Purdue.

Dicha memoria combina la tecnología de nanocables de silicio con un polímero ferroeléctrico, un material que cambia la polaridad de los campos eléctricos cuando son aplicados, lo que hace posible un nuevo tipo de transistor ferroeléctrico, teniendo potencial para usar un 99 por ciento de energía menos que la memoria flash.

Una de las grandes ventajas de esta nueva tecnología es que es compatible con la tecnología estándar de chip CMOS y tiene el potencial para reemplazar los sistemas convencionales de memoria, sin necesidad de mantener una transición muy alargada en el tiempo. Además de que cumple las tres funciones básicas de la memoria de un ordenador: escribir información, leerla y mantenerla durante un largo período de tiempo. Siendo esta un buen paso para la mejora sustancial de nuestras memorias. 

Leonor González.

7mo. Semestre.

Ingeniería en Sistemas Computaciones.

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